BLF871S射频功率晶体管Ampleon
发布时间:2024-06-12 09:29:47 浏览:1983
BLF871S是由Ampleon 公司生产的100 W LDMOS RF功率晶体管,专为广播发射器和工业应用设计。该晶体管在1 GHz以下的频率范围内能够提供高达100 W的功率,并且在860 MHz频率下展现出卓越的线性度和宽带性能,非常适合用于数字传输系统。
Type number | Package | ||
Name | Description | Version | |
BLF871 | - | flanged LDMOST ceramic package;2 mounting holes;2 leads | SOT467C |
BLF871S | - | earless LDMOST ceramic package;2 leads | SOT467B |
BLF871S的主要特性包括:
- 在860 MHz下的2音功率性能,漏源电压40 V,静态漏极电流0.5 A:
- 峰值包络功率:100 W
- 功率增益:21 dB
- 效率:47%
- 三阶互调失真:-35 dBc
- 在858 MHz处的DVB性能,漏源电压40 V,静态漏极电流0.5 A:
- 平均输出功率:24 W
- 功率增益:22 dB
- 效率:33%
- 三阶互调失真:-34 dBc(距离中心频率4.3 MHz)
其他特性:
- 集成ESD保护
- 优秀的坚固性
- 高功率增益
- 高效率
- 确保良好可靠性
- 容易进行电力控制
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用
BLF871S适用于以下领域:
- 通信发射机在UHF波段的应用
- 工业领域的UHF波段应用
相关推荐:
1.4-2.2GHz L/S波段射频功率晶体管Ampleon
推荐资讯
SD11461 是 Solitron Devices 生产的一款高性能 N 通道功率 MOSFET,具有 100V 漏源电压和 35A 连续漏极电流,导通电阻低至 25mΩ,采用 TO-258/TO-254 封装,支持快速开关(如 15ns 开启延迟)和高功率耗散(147W)。其工作温度范围广(-55°C 至 +150°C),适用于电源管理(如 DC-DC 转换器)、电机驱动及高频应用,电气特性包括 2.0-4.0V 阈值电压、87nC 栅极电荷,并集成高效源极二极管(1-1.5V 正向电压)。封装设计兼顾散热与紧凑性,满足工业和恶劣环境需求。
ARIZONA Capacitors W90系列额定电压范围为3kVDC至150kVDC,电容值最高可达2.000 μF,标准容差±10%;工作温度范围(G10外壳材料)按不同降额情况有所不同,全额定温度时为 -55°C至60°C,30%降额时为 -55°C至85°C,50%降额时为 -55°C至105°C,75%降额时为 -55°C至125°C;绝缘电阻在25 - 50kΩ,1,000Hz下损耗因子小于0.6%,经过130%额定电压1分钟测试,生产流程符合ISO 9001:2015认证,符合MIL-STD-202测试标准,可按需符合ROHS标准。
在线留言